在绝缘材料中,为什么要严格控制烧成气氛以减少电子电导

09无机，鉴定完毕。

材烂御塌料的电导在很大程度上决定于电子电导饥圆。这拆源是由于与弱束缚离子比较，杂质半束缚电子的离解能很小，容易被激发，因而载流子的浓度随温度升高剧增。另外，电子和空穴的迁移率比离子迁移率要大许多个数量级。例如，对于岩盐中钠离子活化能为1.75 eV，而半导体硅的施主能级才0.04 eV，相差44倍。二者迁移率相差更大。TiO2中电子迁移率约为0.2 cm2/(s-1·V-1)，而铝硅酸盐陶瓷中离子迁移率只有10-9~10-12 cm2/(s-1·V-1)，因此材料中电子载流子只要有离子载流子的（109~1012）分之一，就可以达到相同的电导数值。因此，对于绝缘材料的生产，工艺上比较关键的是要严格控制烧成气氛，以减少电子电导。