集微直播间·公开课 | 风华绝代，比肩GaN的第三代超级结硅MOSFET_维安半导体

5G时代，伴随着智能手机功耗的快速提升和持久续航之间的矛盾，用户对快充的诉求越来越多，于是在小米推出 65W 氮化镓快充后，市场快速被引爆，主流厂家开始密集推出基于氮化镓的快速充电器产品。但殊不知，第三代超级结硅MOSFET+ACF有源钳位拓扑方案完全可以和氮化镓相媲美，相比于氮化镓，第三代超级结硅MOSFET的方案性价比更高。作为超级结硅MOSFET的推动者，维安半导体的第三代超级结硅MOSFET如何PK氮化镓在手机快充中的应用？

4月30日上午10点，第九期“集微公开课”邀请到上海维安半导体有限公司功率器件产品应用技术专家郭建军，带来以《风华绝代，比肩GaN的第三代超级结硅MOSFET》为主题的精彩演讲。本次公开课，郭建军将以MOSFET工艺演变、维安高频第三代超级结硅MOSFET特性、以及与氮化镓MOSFET实测数据对比，让工程师了解风华绝代、比肩氮化镓的第三代超级结硅MOSFET在手机快充中的应用优势和产品趋势。