什么是冶金结

pn结内p型掺杂与n型掺杂的分界面

突变结近似：认为从中性半导体区到空间电荷区的空间电荷密度有一个突然的不连续。
内建电势差：热平衡状态下pn结内p区与n区的静电电势差。
耗尽层电容：势垒电容的另一种表达。
超突变结：一种为了实现特殊电容-电压特性而进行冶金结处高掺杂的pn结，其特点pn结一侧的掺杂浓度由冶金结处开始下降。
势垒电容（结电容）：反向偏置下pn结电容。
线性缓变结：冶金结两侧的掺杂浓度可以有线性分布近似的pn结。
冶金结：pn结内p型掺杂与n型掺杂的分界面。