如何确定掺杂的离子形成哪种缺陷

离子注入是离子参杂的一种.
随着VLSI器件的发展,到了70年代,器件尺寸不断减小,结深降到1um以下,扩散技术有些力不从心.在这种情况下,离子注入技术比较好的发挥其优势.目前,结深小于1um的平面工艺,基本都采用离子注入技术完成掺杂.离子注入技术已经成为VLSI生产中不可缺少的掺杂工艺.
离子注入具有如下的特点:
①可以在较低温度下（400℃）进行,避免薯饥高温处理；
②通过控制注入时的电学条件（电流、电压）可以精确控制浓度和结深,更好的实现对杂质分布形状数手返的控制.而且杂质浓度不受材料固溶度的限制；
③可选出一种元素进行注入,避免混入其他杂质；
④可以在较大面积上形成薄而均匀的掺杂薯逗层.同一晶片上杂质不均匀性优于1％,且横向掺杂比扩散小的多；
⑤控制离子束的扫描区域,可实现选择注入并进而发展为一种无掩模掺杂技术.

(1)掺杂温度低。离子注入是在高真空中、在室温或低温下进行的，可以避见高温扩散中所引进的热缺陷或基片的热变形。
(2)易于控制杂质的浓度分布。适当控制注入剂量和能量．可能得到理论设计中所要求的理想杂质分布。
(3)可控性好。掺杂浓度、结深和杂质分布都能技预定的要求通过调节注山旦入离子的束流、能量和注入时间得到精确控制。
(4)侧向扩散小。在热扩散中，窗口边缘处的横向扩展范围基本上等于纵向扩散深度。在离子注入时，只有当离子质量租野较轻或入射能员较高时，才有比较明显的侧向扩散，一般悄况下。横向扩展与纵向深度相比是很小的、常常可以忽略，这对提高IC集成密度十分重要。
(5)具有“直接写入”功能，可以不要掩模。低温掺杂和“直接写入”是离子注入技术与激光掺杂技术所共有的优势。与激光掺杂技术相比，离子注入掺杂技术还存在一定的缺点。离子注入掺杂的最大缺点弊唯喊是离子注入时会在晶体内产生大量的晶格缺陷，虽然这些缺陷的大部分可以通过退火来消除，但残留的二次缺陷和晶格畸变往往会给器件的电特性带来很坏的影响。此外，离子注入设备庞大、复杂、价格高昂，这也在一定程度上绍其应用带来限制或困难。